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晶体管
2SC5876U3T106参考图片

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2SC5876U3T106

  • ROHM Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60V VCEO 0.5A SOT-323
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数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.71416
2142.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
150 mV
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
390
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
500 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,2SC5876U3T106的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
1,000:¥10.5994
参考库存:6085
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V/5A
1:¥6.6896
10:¥5.5483
100:¥3.5821
1,000:¥2.8702
参考库存:6007
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 520 mOhms
1:¥19.9784
10:¥16.0573
参考库存:27808
晶体管
MOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥13.6052
10:¥11.6051
100:¥9.2208
250:¥9.2208
500:¥8.0682
参考库存:9409
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS
1:¥11.4469
10:¥9.2208
100:¥7.0738
500:¥6.2263
1,000:¥4.9155
参考库存:4751
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