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晶体管
STGW30H60DF参考图片

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STGW30H60DF

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
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库存:8,173(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.7414
25.7414
10
¥21.8994
218.994
100
¥18.984
1898.4
250
¥18.0574
4514.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW30H60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,STGW30H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SM SIG MOS FET FLT LD 1.2x1.2mm
1:¥3.0736
10:¥2.2261
100:¥1.3334
500:¥0.77631
10,000:¥0.42262
20,000:查看
参考库存:67165
晶体管
MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
1:¥15.6731
10:¥13.3679
100:¥10.6785
500:¥9.379
参考库存:3662
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:76849
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DGTL PNP 50V 70MA
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
8,000:¥0.32996
24,000:查看
参考库存:43956
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥6.5314
10:¥5.424
100:¥3.4917
1,000:¥2.8024
参考库存:7363
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