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晶体管
STB45N40DM2AG参考图片

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STB45N40DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
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数量单价合计
1
¥36.4199
36.4199
10
¥30.962
309.62
100
¥26.8149
2681.49
250
¥25.4363
6359.075
1,000
¥19.21
19210
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
72 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
56 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
产品
Power MOSFET
系列
STB45N40DM2AG
类型
High Voltage
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
9.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB45N40DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Power Transistor
1:¥7.3789
10:¥6.3167
100:¥4.859
500:¥4.2827
4,000:¥3.0058
8,000:查看
参考库存:40375
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
1:¥4.0002
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
3,000:¥1.3108
6,000:查看
参考库存:82842
晶体管
MOSFET 400V 25Ohm
1:¥10.2152
10:¥10.0683
25:¥8.6106
100:¥7.7631
参考库存:11429
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 100V TR
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.5594
参考库存:34526
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7
1:¥3.3787
10:¥2.1696
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
4,000:¥0.54579
参考库存:211898
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