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晶体管
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IPB034N06L3GATMA1

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数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.831
98.31
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.893
3446.5
1,000
¥5.7178
5717.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
79 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
167 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
77 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
78 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
G IPB034N06L3 IPB34N6L3GXT SP000398062
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB034N06L3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PHB21N06LT,118
Nexperia
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥5.763
10:¥4.7347
100:¥3.0623
800:¥2.4408
2,400:¥2.0679
参考库存:20144
BD139G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1.5A 80V 12.5W NPN
1:¥4.068
10:¥3.3561
100:¥2.0453
1,000:¥1.582
2,500:¥1.356
参考库存:25331
2DD2678-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO VSAT NPN SMT 2.5K
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
2,500:¥0.89948
10,000:¥0.83733
参考库存:41008
DMN3032LE-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET FET BVDSS 25V 30V N-Ch 498pF 4.1nC
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
2,500:¥1.4012
参考库存:27605
TP2104N3-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 40V 6Ohm
1:¥4.5313
10:¥4.52
25:¥3.7177
100:¥3.4013
参考库存:15917
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