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晶体管
SPW17N80C3参考图片

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SPW17N80C3

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
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库存:2,762(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥43.3355
43.3355
10
¥36.8832
368.832
100
¥31.9677
3196.77
250
¥30.2727
7568.175
500
¥27.1991
13599.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
290 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
SP000013369 SPW17N80C3FKSA1 SPW17N8C3XK
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SPW17N80C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
1:¥3.3787
10:¥2.7459
100:¥1.6724
1,000:¥1.2995
10,000:¥1.02943
20,000:查看
参考库存:53352
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥21.0519
10:¥17.8314
100:¥14.2945
500:¥12.5204
参考库存:18104
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4
1:¥85.7557
10:¥78.9192
25:¥75.6083
100:¥66.6248
参考库存:5181
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥16.6788
10:¥14.1363
100:¥11.30
500:¥9.9101
1,000:¥8.2264
参考库存:9633
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 60V NPN/PNP
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
3,000:¥2.1809
参考库存:17010
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