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晶体管
RQ7E055ATTCR参考图片

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RQ7E055ATTCR

  • ROHM Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET Pch -30V -5.5A Si MOSFET
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数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.8308
58.308
100
¥4.4748
447.48
500
¥3.955
1977.5
1,000
¥3.1301
3130.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSMT-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
19.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
18.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
5.2 S
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52 ns
典型接通延迟时间
9.5 ns
零件号别名
RQ7E055AT
商品其它信息
优势价格,RQ7E055ATTCR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC
1:¥23.6622
10:¥20.0575
100:¥17.4472
250:¥16.5206
500:¥14.8256
800:¥14.8256
参考库存:18510
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms
1:¥20.2044
10:¥17.2099
100:¥13.7521
500:¥11.9893
参考库存:16482
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin SPT
1:¥3.2996
10:¥2.4521
100:¥1.3673
1,000:¥0.92208
参考库存:40519
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,000:¥6.6896
参考库存:4511
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 62A 9mOhm 8nC Qg
1:¥6.5314
10:¥5.5709
100:¥4.2827
500:¥3.7855
1,000:¥2.9945
参考库存:26928
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