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晶体管
TSM4NB60CI C0参考图片

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TSM4NB60CI C0

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库存:47,311(价格仅供参考)
数量单价合计
4,000
¥2.825
11300
5,000
¥2.6329
13164.5
10,000
¥2.5877
25877
25,000
¥2.5312
63280
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
14.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
2.6 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TSM4NB60CI C0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
1:¥3.0736
10:¥2.5651
100:¥1.5707
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:93927
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥8.1473
10:¥6.9947
100:¥5.3675
500:¥4.746
1,000:¥3.7516
3,000:¥3.3222
参考库存:14954
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra narrow leads package
1:¥18.5207
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥10.9836
参考库存:9351
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥25.4363
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
1,500:¥12.8368
4,500:查看
参考库存:11953
晶体管
IGBT 模块
1:¥527.5857
5:¥517.8225
10:¥504.4546
25:¥494.6236
参考库存:4505
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