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晶体管
IPB180N04S400ATMA1参考图片

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IPB180N04S400ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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数量单价合计
1
¥24.0464
24.0464
10
¥20.4417
204.417
100
¥17.6732
1767.32
250
¥16.7466
4186.65
1,000
¥12.6786
12678.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
800 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
286 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
XPB180N04
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
58 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
67 ns
典型接通延迟时间
53 ns
零件号别名
IPB180N04S4-00 IPB18N4S4XT SP000646176
单位重量
1.541 g
商品其它信息
优势价格，IPB180N04S400ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTA114YE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 10K 47K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:42546
PHE13005X/01,127
WeEn Semiconductors
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Silicon diffused pwr transistor
5,000:¥1.6046
10,000:¥1.5029
25,000:¥1.4238
50,000:¥1.3786
参考库存:42551
AFT21S230SR3
NXP / Freescale
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DMP3036SFG-13
Diodes Incorporated
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3,000:¥1.8419
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DRA2523Y0L
Panasonic
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双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥1.2091
9,000:¥1.12209
24,000:¥1.05994
45,000:¥1.01474
参考库存:42566
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