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晶体管
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IPZA60R099P7XKSA1

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数量单价合计
1
¥43.0304
43.0304
10
¥36.5781
365.781
100
¥31.6626
3166.26
250
¥30.0467
7511.675
500
¥26.9731
13486.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
77 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
117 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
Power MOSFET
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
89 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
IPZA60R099P7 SP001707742
商品其它信息
优势价格，IPZA60R099P7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHB12N50E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥18.3625
10:¥15.2098
100:¥11.8311
500:¥10.2943
参考库存:8786
ADTC144EUAQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.4803
100:¥0.52206
1,000:¥0.34578
10,000:¥0.23052
20,000:查看
参考库存:84083
FGH40T120SQDNL4
ON Semiconductor
晶体管
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1:¥54.1722
10:¥48.9516
25:¥46.6464
100:¥40.4992
参考库存:8070
LSIC1MO120E0160
Littelfuse
晶体管
MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
1:¥84.524
10:¥76.84
25:¥71.077
50:¥67.235
参考库存:7652
SQR40N10-25_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 100V 40A 136W AEC-Q101 Qualified
1:¥18.5998
10:¥15.4471
100:¥11.9893
500:¥10.5316
2,000:¥8.1473
4,000:查看
参考库存:12414
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