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晶体管
EFC3J018NUZTDG参考图片

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EFC3J018NUZTDG

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
5,000
¥2.5538
12769
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WLCSP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
4.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
75 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
EFC3J018NUZ
晶体管类型
Dual N-Channel
商标
ON Semiconductor
下降时间
2800 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
890 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4100 ns
典型接通延迟时间
280 ns
商品其它信息
优势价格,EFC3J018NUZTDG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
5,000:¥2.5538
10,000:查看
参考库存:33119
晶体管
MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET
1:¥152.1432
10:¥138.312
25:¥127.9386
50:¥121.4072
参考库存:7881
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥33.5045
10:¥26.9731
100:¥24.5097
250:¥22.1254
参考库存:22283
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥2.7685
10:¥1.808
100:¥0.77631
1,000:¥0.5989
10,000:¥0.40002
20,000:查看
参考库存:49785
晶体管
MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.6048
100:¥4.3166
500:¥3.8081
2,500:¥2.6781
10,000:查看
参考库存:139912
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