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晶体管
NTLUD4C26NTAG参考图片

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NTLUD4C26NTAG

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET NFET UDFN6 30V 8.7A
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数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.8872
38.872
100
¥2.373
237.3
1,000
¥1.8419
1841.9
3,000
¥1.5594
4678.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UDFN-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.3 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms, 21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5.5 nC, 5.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
23 S, 23 S
下降时间
1.7 ns, 1.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns, 15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 13 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 5 ns
单位重量
8.500 mg
商品其它信息
优势价格,NTLUD4C26NTAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
1:¥9.2999
10:¥7.684
100:¥5.9099
500:¥5.0737
3,000:¥3.7403
6,000:查看
参考库存:23436
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 20V HIGH GAIN
1:¥5.6048
10:¥4.7234
100:¥3.0397
1,000:¥2.4408
参考库存:8773
晶体管
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
1:¥7.0738
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.9493
参考库存:25420
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Sgle NPN, 100mA
3,000:¥0.29945
9,000:¥0.25312
24,000:¥0.23843
45,000:¥0.22261
99,000:¥0.20001
参考库存:49600
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥4.3844
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
参考库存:29197
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