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晶体管
IRF7779L2TRPBF参考图片

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IRF7779L2TRPBF

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC
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数量单价合计
1
¥37.5725
37.5725
10
¥31.9677
319.677
100
¥27.6624
2766.24
250
¥26.2838
6570.95
4,000
¥18.1365
72546
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-L8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
67 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
97 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DirectFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.74 mm
长度
9.15 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
7.1 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001572314
商品其它信息
优势价格，IRF7779L2TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
F4-75R12KS4_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 75A 1200V
1:¥967.0314
5:¥948.0474
10:¥903.8644
25:¥884.8917
参考库存:3606
SI4477DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8
1:¥11.30
10:¥9.2999
100:¥7.1416
500:¥6.1359
1,000:¥5.3788
2,500:¥5.3788
参考库存:28543
BC68-25PA,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20 V, 2 A NPN medium power transistors
1:¥3.2996
10:¥2.3165
100:¥1.05994
1,000:¥0.81473
3,000:¥0.69947
参考库存:9025
IGP10N60T
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A
1:¥11.9102
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0964
参考库存:6537
FP25R12KT4_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥496.0022
5:¥486.8605
10:¥474.261
25:¥464.9611
参考库存:3589
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