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晶体管
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FMMT493QTA

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V NPN Med PWR 1A Ic 2A Icm 500mW
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数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.9267
29.267
100
¥1.5933
159.33
1,000
¥1.1865
1186.5
3,000
¥1.02943
3088.29
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
300 mV
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FMMT493
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，FMMT493QTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
F4-75R12KS4_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 75A 1200V
1:¥967.0314
5:¥948.0474
10:¥903.8644
25:¥884.8917
参考库存:3606
SI4477DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8
1:¥11.30
10:¥9.2999
100:¥7.1416
500:¥6.1359
1,000:¥5.3788
2,500:¥5.3788
参考库存:28543
BC68-25PA,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20 V, 2 A NPN medium power transistors
1:¥3.2996
10:¥2.3165
100:¥1.05994
1,000:¥0.81473
3,000:¥0.69947
参考库存:9025
IGP10N60T
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A
1:¥11.9102
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0964
参考库存:6537
FP25R12KT4_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥496.0022
5:¥486.8605
10:¥474.261
25:¥464.9611
参考库存:3589
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