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晶体管
DMN62D0UDW-7参考图片

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DMN62D0UDW-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
350 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
0.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
410 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN62D0UDW
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
1.8 S
下降时间
12.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22.6 ns
典型接通延迟时间
2.4 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,DMN62D0UDW-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1:¥3.0736
10:¥2.3843
100:¥1.2882
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3,000:¥0.83733
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3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
99,000:¥0.25312
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1:¥4.4522
10:¥3.729
100:¥2.2713
1,000:¥1.7628
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10,000:¥0.26103
20,000:¥0.24634
50,000:¥0.23052
100,000:¥0.20001
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1:¥3.4578
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86106
10,000:¥0.66896
20,000:查看
参考库存:27474
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