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晶体管
DMS3016SSS-13参考图片

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DMS3016SSS-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
2,500
¥1.11418
2785.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
9.8 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.54 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMS30
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
4.69 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.73 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36.41 ns
典型接通延迟时间
6.62 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥3.0736
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1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
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1:¥19.1309
10:¥15.9104
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
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1:¥16.7466
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100:¥11.3678
500:¥9.9101
参考库存:7188
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