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晶体管
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BUL1203E

  • STMicroelectronics
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) N Ch 75V 3.5m 120A Pwr MOSFET
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11.9102
10
¥10.1474
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100
¥7.7631
776.31
500
¥6.9043
3452.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
550 V
集电极—基极电压 VCBO
1.2 kV
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
最大直流电集电极电流
5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BUL1203E
高度
9.15 mm (Max)
长度
10.4 mm (Max)
封装
Tube
宽度
4.6 mm (Max)
商标
STMicroelectronics
Pd-功率耗散
100000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
2.300 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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