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晶体管
SIR690DP-T1-RE3参考图片

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SIR690DP-T1-RE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥12.8368
12.8368
10
¥10.6785
106.785
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2207
3610.35
1,000
¥5.9777
5977.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
34.4 A
Rds On-漏源导通电阻
28.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
ThunderFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
46 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
6000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SIR690DP-T1-RE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
6MS16017P43W40383
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥140,269.6572
参考库存:52361
SMPJ110A
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JFET JFET N-Channel -25V 5.0Vds 10mA 4.0Vgs
329:¥21.5943
500:¥19.3682
1,000:¥16.3624
2,500:¥15.5262
参考库存:52366
PXAC261002FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥597.1259
参考库存:52371
PTRA082808NF-V1-R5
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
500:¥500.5335
参考库存:52376
AGR21060EF
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晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz13.5Watt Gain 14.5dB
10:¥726.138
30:¥643.1508
50:¥580.9104
100:¥560.1636
参考库存:52381
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