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晶体管
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FZT491AQTA

  • Diodes Incorporated
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor
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6.0681
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¥5.0624
50.624
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326.57
1,000
¥2.6103
2610.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
900
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
1 A
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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