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晶体管
FCP850N80Z参考图片

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FCP850N80Z

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数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.4525
104.525
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.3111
3655.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
850 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 30 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperFET II
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FCP850N80Z
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
3.5 S
下降时间
4.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FCP850N80Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS LOW NOISE TAPE-7
1:¥1.5368
10:¥1.4238
100:¥0.50737
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
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1:¥1.4577
10:¥1.3221
100:¥0.46895
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:31662
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1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.6388
500:¥6.7461
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1:¥0.99892
10:¥0.91417
100:¥0.32318
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.1695
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥3.6838
10:¥2.0792
100:¥1.10627
500:¥0.92999
3,000:¥0.51528
9,000:查看
参考库存:14318
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