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晶体管
BSS223PW H6327参考图片

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BSS223PW H6327

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库存:84,251(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.9097
19.097
100
¥0.79891
79.891
1,000
¥0.54579
545.79
3,000
¥0.42262
1267.86
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
390 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
2.5 V
Qg-栅极电荷
- 0.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW (1/4 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS223
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
0.35 S
下降时间
3.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5.1 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns
零件号别名
BSS223PWH6327XT BSS223PWH6327XTSA1 SP000843010
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,BSS223PW H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.1472
10:¥5.1302
100:¥3.2996
1,000:¥2.6442
5,000:¥2.2374
参考库存:25588
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
1:¥23.5153
10:¥19.9784
100:¥17.289
250:¥16.4415
参考库存:32071
晶体管
MOSFET 100V DUAL N-CH HEXFET
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.5259
500:¥8.3733
4,000:¥6.2263
8,000:查看
参考库存:45720
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
1:¥7.7631
10:¥6.6557
100:¥5.1076
500:¥4.52
1,000:¥3.5708
参考库存:11282
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
1:¥41.4145
10:¥35.1882
100:¥30.51
250:¥28.9732
参考库存:13009
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