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晶体管
SI7850DP-T1-GE3参考图片

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SI7850DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥14.6787
14.6787
10
¥13.3679
133.679
100
¥10.8367
1083.67
500
¥8.4524
4226.2
1,000
¥8.2264
8226.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
10.3 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
26 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SI7850DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SI7850DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STL23NM60ND
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.150 Ohm 19.5 A Fdmesh II
1:¥62.1613
10:¥56.2514
25:¥53.6298
100:¥46.5673
3,000:¥34.0356
参考库存:39479
NVMFD5875NLWFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
5,000:¥3.3787
10,000:¥3.2544
25,000:¥3.1527
参考库存:39484
RJH60D3DPE-00#J3
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1,000:¥10.5316
2,000:¥9.831
5,000:¥9.0626
参考库存:39489
BC848CW RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:39494
SMPJ175
InterFET
晶体管
JFET JFET P-Channel -30V 50mA 360mW 3.27mW
582:¥11.6051
1,000:¥9.605
2,500:¥8.6106
10,000:¥8.2942
参考库存:39499
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