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晶体管
NJW1302G参考图片

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NJW1302G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200W TO-3P PNP
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库存:5,599(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.0522
27.0522
10
¥22.9729
229.729
100
¥19.8993
1989.93
250
¥18.9049
4726.225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3P-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
250 V
集电极—基极电压 VCBO
250 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.4 V
最大直流电集电极电流
15 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NJW1302
直流电流增益 hFE 最大值
75
高度
18.7 mm
长度
15.6 mm
封装
Tube
宽度
4.8 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
15 ADC
直流集电极/Base Gain hfe Min
75
Pd-功率耗散
200 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,NJW1302G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥35.5046
10:¥30.1936
100:¥26.2047
250:¥24.8148
500:¥22.2836
参考库存:6355
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥52.093
10:¥47.0984
25:¥44.9514
100:¥39.0302
参考库存:5452
晶体管
MOSFET PCH 1.8A 60V 4V DRIVE
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.3504
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.8871
参考库存:47729
晶体管
IGBT 晶体管 SA2TIGBT TO247 30A 1500V
1:¥47.0984
10:¥40.0359
100:¥34.7362
250:¥32.883
参考库存:12281
晶体管
MOSFET 60V 175c N-Ch FET 3.4mOhm 10Vgs 100A
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥14.5996
500:¥12.8368
800:¥10.5994
参考库存:6508
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