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晶体管
SIR624DP-T1-RE3参考图片

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SIR624DP-T1-RE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:53,697(价格仅供参考)
数量单价合计
6,000
¥3.5482
21289.2
12,000
¥3.4239
41086.8
24,000
¥3.3109
79461.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
18.6 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
26 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
优势价格,SIR624DP-T1-RE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -30V, -4.2A,P Channe l Mosfet
1:¥5.4579
10:¥3.9324
100:¥2.3165
1,000:¥1.01474
30,000:¥0.66105
48,000:查看
参考库存:18510
晶体管
MOSFET 20V N channel Mosfet
1:¥4.1471
10:¥3.5369
100:¥2.6329
500:¥1.9323
2,500:¥1.3334
5,000:查看
参考库存:35214
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 16A
1:¥156.2903
5:¥154.6744
10:¥144.1541
25:¥137.7018
参考库存:35219
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.47686
9,000:¥0.42262
24,000:¥0.40002
45,000:¥0.34578
参考库存:35224
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.4012
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:35229
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