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晶体管
R6030KNZ1C9参考图片

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R6030KNZ1C9

  • ROHM Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET Nch 600V 30A Si MOSFET
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库存：14,014(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.8996
25.8996
10
¥21.9785
219.785
100
¥19.0518
1905.18
250
¥18.0574
4514.35
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
115 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
56 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
305 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
75 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
36 ns
零件号别名
R6030KNZ1
单位重量
10 mg
商品其它信息
优势价格，R6030KNZ1C9的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD19536KTT
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 100V N ch MOSFET
1:¥34.4198
10:¥30.962
100:¥25.3572
250:¥23.7413
500:¥21.5943
参考库存:3551
NVMFS5C430NLWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
1:¥10.7576
10:¥9.1417
100:¥7.0512
500:¥6.2263
1,500:¥4.3618
9,000:查看
参考库存:9653
2N3700
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥51.4828
10:¥46.33
25:¥42.1829
100:¥38.0358
参考库存:3615
SIS862DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥9.0626
10:¥7.4806
100:¥5.7291
500:¥4.9381
3,000:¥4.9381
参考库存:61362
SI1869DH-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-363
1:¥4.6104
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.6724
参考库存:328009
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