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晶体管

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APTGT400U120D4G

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数量单价合计
100
¥1,048.4027
104840.27
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
650 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
1.785 kW
封装 / 箱体
D4-5
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
350 g
商品其它信息
优势价格,APTGT400U120D4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 800V N-Channel QFET
1:¥10.9158
10:¥9.2999
100:¥7.1642
500:¥6.328
参考库存:7238
晶体管
MOSFET -20V -760mA PChannel
1:¥3.616
10:¥2.3052
100:¥0.99101
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.5763
参考库存:75335
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 59A 5-Pin(4+Tab)
1:¥5.537
10:¥4.5991
100:¥2.9606
1,000:¥2.373
1,500:¥2.0001
参考库存:15622
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.8476
10:¥2.2035
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72207
参考库存:88594
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥4.5313
10:¥3.7742
100:¥2.4408
1,000:¥1.9436
2,000:¥1.9436
参考库存:30571
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