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晶体管
STP13NM60N参考图片

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STP13NM60N

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
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库存:14,582(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.1257
28.1257
10
¥23.8995
238.995
100
¥20.7468
2074.68
250
¥19.6733
4918.325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
360 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP13NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
3 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP13NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
500:¥18.0574
1,000:¥15.2098
2,500:¥14.4414
5,000:¥13.9103
参考库存:44122
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
10,000:¥0.9379
参考库存:44127
晶体管
MOSFET T8 80V U8FL
3,000:¥2.0679
9,000:¥1.9888
24,000:¥1.9097
参考库存:44132
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.791
9,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
45,000:¥0.63732
参考库存:44137
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 22K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:44142
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