RN1106MFV(TPL3)详细参数_参考价格_RN1106MFV(TPL3) PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	否
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1106MFV
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STI55NF03L	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 30 V, 0.01 Ohm, 55 A, I2PAK STripFET(TM) II Power MOSFET	1:¥9.5259 10:¥8.1473 100:¥6.2828 500:¥5.5596	参考库存:14452
GA20JT12-263	GeneSiC Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 1200V 45A Standard	1:¥303.5971 5:¥288.5342 10:¥280.8502 25:¥273.008 50:¥258.0242	参考库存:5149
2SAR553PT100	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 3A Transistor	1:¥4.068 10:¥3.3335 100:¥2.034 1,000:¥1.5707 2,000:¥1.3334	参考库存:8236
2N7002DW-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V 200mW	1:¥2.5312 10:¥1.6724 100:¥0.71416 1,000:¥0.5537 3,000:¥0.41471	参考库存:832728
JANTX2N5416	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	1:¥136.5492 10:¥124.0966 25:¥114.7967 50:¥108.5704	参考库存:5140