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晶体管
ALD212914PAL参考图片

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ALD212914PAL

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库存:42,326(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥38.8833
1944.165
100
¥37.0414
3704.14
250
¥32.3519
8087.975
500
¥31.4253
15712.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PDIP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Id-连续漏极电流
79 mA
Rds On-漏源导通电阻
14 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
EPAD
封装
Tube
系列
ALD212914P
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格,ALD212914PAL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30-V Dual N-Channel MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.6896
100:¥5.1528
250:¥5.1528
500:¥4.5539
参考库存:4118
晶体管
MOSFET 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
1:¥18.984
10:¥15.7522
100:¥12.2153
500:¥10.6785
1,000:¥8.9157
2,000:¥8.9157
参考库存:11705
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMP 40V NPN/PNP LO
1:¥6.3732
10:¥5.2658
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
2,500:¥2.2939
参考库存:12972
晶体管
MOSFET 200v Vds 78.5A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥22.826
10:¥18.9049
100:¥15.594
250:¥15.142
参考库存:4889
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4862
500:¥5.7291
1,000:¥4.5313
3,000:¥4.5313
参考库存:18091
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