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晶体管
NVD5802NT4G-TB01参考图片

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NVD5802NT4G-TB01

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET NFET DPAK 40V 110A 6.5MOH
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数量单价合计
2,500
¥6.3732
15933
5,000
¥6.1359
30679.5
10,000
¥5.8986
58986
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
101 A
Rds On-漏源导通电阻
4.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
75 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
93.75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
NTD5802N
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
商标
ON Semiconductor
下降时间
8.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
52 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
14 ns
商品其它信息
优势价格,NVD5802NT4G-TB01的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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5,000:查看
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5:¥246.4304
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25:¥219.3782
参考库存:33300
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