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ALD1105PBL

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PDIP-14
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
4.8 mA, 2 mA
Rds On-漏源导通电阻
350 Ohms, 1.2 kOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Quad
通道模式
Enhancement
封装
Tube
产品
MOSFET Small Signal
系列
ALD1105P
晶体管类型
2 N-Channel, 2 P-Channel
类型
MOSFET
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
单位重量
1.620 g
商品其它信息
优势价格，ALD1105PBL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,400:¥4.2601
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D3S070N65D-U
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1,020:¥17.7523
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3,000:¥7.571
6,000:¥7.2998
9,000:¥7.0173
参考库存:51722
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