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晶体管
FCPF190N65S3R0L参考图片

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FCPF190N65S3R0L

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET SUPERFET3 650V 17A 190 mOhm
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数量单价合计
1
¥15.9104
15.9104
10
¥13.5261
135.261
100
¥10.8367
1083.67
500
¥9.4468
4723.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
144 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
SuperFET3
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
17 ns
商品其它信息
优势价格，FCPF190N65S3R0L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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