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晶体管
PXAD214218FV-V1-R0参考图片

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PXAD214218FV-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
50
¥1,159.2105
57960.525
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
增益
16 dB
输出功率
430 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275G-6/2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PXAD214218FV-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥490.1601
5:¥469.5715
10:¥461.3451
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参考库存:5705
晶体管
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1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.3679
3,000:¥10.2943
6,000:查看
参考库存:18872
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1:¥2.9945
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:35929
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1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.2885
500:¥6.441
参考库存:15001
晶体管
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1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥15.8313
250:¥14.9838
500:¥13.447
参考库存:10088
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