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晶体管
CSD87333Q3DT参考图片

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CSD87333Q3DT

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET High Duty Cycle Sync Buck NexFET
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库存:7,012(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.2209
11.2209
10
¥9.605
96.05
100
¥7.3563
735.63
250
¥7.3563
1839.075
500
¥6.4975
3248.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
13.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
950 mV
Qg-栅极电荷
3.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6 W
配置
Dual
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD87333Q3D
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
43 S
下降时间
2.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.9 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.4 ns
典型接通延迟时间
2.1 ns
单位重量
76 mg
商品其它信息
优势价格,CSD87333Q3DT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.2998
10:¥5.8873
100:¥4.4635
500:¥3.6838
3,000:¥3.6838
参考库存:19621
晶体管
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
1:¥1.3108
10:¥1.1413
100:¥0.4068
1,000:¥0.26894
10,000:¥0.17628
20,000:查看
参考库存:186783
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.7522
250:¥14.9047
1,000:¥11.30
2,000:查看
参考库存:5495
晶体管
MOSFET LV POWER MOS
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
5,000:¥5.8195
10,000:查看
参考库存:24082
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 0.95 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package
1:¥28.815
10:¥24.5097
100:¥21.2892
250:¥20.1366
参考库存:9529
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