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晶体管
MMUN2134LT1G参考图片

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MMUN2134LT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
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数量单价合计
1
¥1.07576
1.07576
10
¥0.91417
9.1417
100
¥0.32318
32.318
1,000
¥0.2147
214.7
3,000
¥0.1695
508.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
22 kOhms
典型电阻器比率
0.47
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
246 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMUN2134L
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
80
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,MMUN2134LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Vcbo 40V 40Vceo 4.0Vebo 300mA 625mW
1:¥6.3732
10:¥5.5144
100:¥3.8194
1,000:¥2.8476
参考库存:12646
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W TO270-2N
1:¥159.7481
10:¥146.9226
25:¥140.3912
100:¥124.0966
500:¥107.1918
参考库存:4643
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥26.2047
10:¥22.2836
100:¥19.2891
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:2770
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220
1:¥16.0573
10:¥13.3679
100:¥10.3734
500:¥9.0626
参考库存:4487
晶体管
MOSFET Nch 30V 10A Si MOSFET
1:¥6.3054
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
3,000:¥2.26
参考库存:27754
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