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晶体管
MMBTA06-7-F参考图片

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MMBTA06-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80V 300mW
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数量单价合计
1
¥1.695
1.695
10
¥1.1639
11.639
100
¥0.48364
48.364
1,000
¥0.32996
329.96
3,000
¥0.26103
783.09
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极—射极饱和电压
0.25 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMBTA06
高度
1 mm
长度
3.05 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.5 A
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,MMBTA06-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:27783
晶体管
MOSFET Dl 30V P-Chnl UMOS
1:¥9.5259
10:¥8.0682
100:¥6.2489
500:¥5.5257
1,000:¥4.3618
参考库存:7965
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥437.988
10:¥364.99
25:¥328.491
50:¥291.992
参考库存:4492
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,285.6914
5:¥1,254.7972
10:¥1,223.5979
25:¥1,206.4671
参考库存:4769
晶体管
MOSFET N-Ch 900 Volt 8.0 A Zener SuperMESH
1:¥23.5944
10:¥20.0575
100:¥17.3681
250:¥16.4415
参考库存:8686
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