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晶体管
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CJD210 TR13

  • Central Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40Vcbo 25Vceo 8.0Vebo 5.0A 12.5W
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2,500
¥3.5821
8955.25
10,000
¥3.4465
34465
25,000
¥3.3335
83337.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
8 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
最大直流电集电极电流
10 A
增益带宽产品fT
65 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
CJD210
直流电流增益 hFE 最大值
180
封装
Reel
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
Pd-功率耗散
12.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T07H310-24SR6
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07H310-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,057.0924
参考库存:44520
DDTC123JLP-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 250mW Single (R1/R2)
3,000:¥0.83733
参考库存:44525
DMN2024U-13
Diodes Incorporated
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MOSFET MOSFET
10,000:¥0.66896
20,000:¥0.62263
参考库存:44530
TGF2941
Qorvo
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 4Watt NF 1.3dB GaN
50:¥182.3368
100:¥161.138
250:¥149.838
500:¥139.3855
参考库存:44535
BUK765R2-40B,118
Nexperia
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
4,800:¥4.3053
9,600:¥4.1471
参考库存:44540
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