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晶体管
BSC500N20NS3GATMA1参考图片

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BSC500N20NS3GATMA1

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数量单价合计
1
¥12.9046
12.9046
10
¥10.9158
109.158
100
¥8.7575
875.75
500
¥7.684
3842
5,000
¥5.7065
28532.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
19 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
BSC500N20NS3 BSC5N2NS3GXT G SP000998292
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BSC500N20NS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD19531Q5AT
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 100V,5.3mOhm,NexFET Power MOSFET
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9157
250:¥8.9157
500:¥7.8422
参考库存:37451
STP10NK80Z
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
1:¥26.5889
10:¥22.5887
100:¥19.5942
250:¥18.5998
参考库存:7598
STP11NM60ND
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II
1:¥25.5832
10:¥21.7412
100:¥18.8258
250:¥17.8992
参考库存:6935
SI4842BDY-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 23A 3.5W
1:¥17.4472
10:¥14.4414
100:¥11.2209
500:¥9.831
2,500:¥9.831
参考库存:25072
IRLR8743TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.328
500:¥5.5822
1,000:¥4.407
2,000:¥4.407
参考库存:72104
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