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晶体管
DCP53-16-13参考图片

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DCP53-16-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -80V
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数量单价合计
2,500
¥1.00683
2517.075
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 80 V
集电极—基极电压 VCBO
- 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
- 1.5 A
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DCP53
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
封装
Reel
宽度
3.5 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25
Pd-功率耗散
2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,DCP53-16-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/50V/100mA
1:¥1.6159
10:¥1.08367
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
参考库存:69233
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
参考库存:2655
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 36A 27mOhm 32nC Log Lvl
1:¥8.7575
10:¥7.4128
100:¥5.6952
500:¥5.0285
1,000:¥3.9776
3,000:¥3.9776
参考库存:11362
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.3108
10:¥1.12209
100:¥0.40002
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:28529
晶体管
MOSFET Small-signal FET 0.491Ohm -1.4A -30V
1:¥3.7629
10:¥2.486
100:¥1.3899
1,000:¥1.01474
4,000:¥0.87575
参考库存:27300
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