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晶体管
DMN10H170SFG-13参考图片

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DMN10H170SFG-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
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数量单价合计
3,000
¥1.4012
4203.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
8.5 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
14.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
DMN10
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
3.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.9 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
商品其它信息
优势价格,DMN10H170SFG-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nch 190V 10A TO-252 (DPAK)
1:¥14.2945
10:¥12.1362
100:¥9.6841
500:¥8.5315
2,500:¥6.5427
5,000:查看
参考库存:15131
晶体管
MOSFET
1:¥5.8421
10:¥4.8816
100:¥3.1527
1,000:¥2.5199
5,000:¥2.1244
参考库存:27643
晶体管
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9948
500:¥7.91
1,000:¥6.4975
3,000:¥6.4975
参考库存:14590
晶体管
MOSFET 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified
1:¥3.9211
10:¥2.9945
100:¥2.2261
500:¥1.8193
3,000:¥1.2882
6,000:查看
参考库存:31947
晶体管
MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥11.0627
10:¥9.1417
100:¥6.9721
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
3,000:¥4.7234
参考库存:16344
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