RN2110MFV(TPL3)详细参数_参考价格_RN2110MFV(TPL3) PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-723
直流集电极/Base Gain hfe Min	400
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2110
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	120
高度	0.5 mm
长度	1.2 mm
宽度	0.8 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
APT50GS60BRG	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT High Frequency - Single	1:¥65.8564 10:¥59.2459 25:¥54.014 50:¥50.3302	参考库存:1349
IPD70P04P4-09	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Ch -40V -73A DPAK-2 OptiMOS-P2	1:¥8.5315 10:¥7.2885 100:¥5.5935 500:¥4.9381 2,500:¥3.4578 10,000:查看	参考库存:15136
IPB120N04S4-02	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2	1:¥16.5997 10:¥14.0572 100:¥11.2209 500:¥9.831 1,000:¥8.1473	参考库存:4558
IPA60R280E6XKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6	1:¥18.3625 10:¥15.594 100:¥12.5204 500:¥10.9158 1,000:¥9.0626	参考库存:3635
IPP057N08N3GXKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3	1:¥14.0572 10:¥11.9893 100:¥9.605 500:¥8.3733 1,000:¥6.9721	参考库存:4752