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晶体管
PXAD214218FV-V1-R2参考图片

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PXAD214218FV-V1-R2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存：48,080(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,159.2105
289802.625
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
增益
16 dB
输出功率
430 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275G-6/2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PXAD214218FV-V1-R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF100R12KS4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A DUAL
1:¥678.339
5:¥665.8977
10:¥635.9301
25:¥614.72
参考库存:3906
2N3764
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥193.5577
5:¥184.8793
10:¥179.1163
25:¥164.5958
参考库存:4333
FMMT415TD
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Avalanche
1:¥65.3931
10:¥59.0877
25:¥56.3983
100:¥48.9516
250:¥46.7142
500:¥42.5671
参考库存:5660
2SD1223(TE16L1,NQ)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
1:¥38.7251
10:¥34.578
100:¥28.2726
200:¥25.5154
500:¥22.9729
参考库存:6912
SI7461DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥18.0574
10:¥14.9838
100:¥11.6051
500:¥10.1474
3,000:¥10.1474
参考库存:77919

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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