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晶体管
2SD1223(TE16L1,NQ)参考图片

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2SD1223(TE16L1,NQ)

  • Toshiba
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
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数量单价合计
1
¥38.7251
38.7251
10
¥34.578
345.78
100
¥28.2726
2827.26
200
¥25.5154
5103.08
500
¥22.9729
11486.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
最大直流电集电极电流
4 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SD1223
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Toshiba
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
2000
Pd-功率耗散
15 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,2SD1223(TE16L1,NQ)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥28.2048
10:¥23.9786
100:¥20.7468
250:¥19.6733
500:¥17.6732
参考库存:5226
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SW 600MA60V
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:806273
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V Vceo 2.5A Ic MPT3
1:¥3.9211
10:¥3.2318
100:¥1.9775
1,000:¥1.5255
2,000:¥1.3108
参考库存:7070
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH
1:¥3.2996
10:¥2.4634
100:¥1.3334
1,000:¥1.00683
8,000:¥0.80682
24,000:查看
参考库存:37062
晶体管
MOSFET MID PWR MOSFET SER
1:¥7.9891
10:¥6.7574
100:¥5.198
500:¥4.5878
3,000:¥3.2092
9,000:查看
参考库存:18834
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