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晶体管
QS8F2TCR参考图片

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QS8F2TCR

  • ROHM Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET Complex Trans BIP PNP + MOS Pch
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库存:47,030(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥1.9775
5932.5
9,000
¥1.9097
17187.3
24,000
¥1.8306
43934.4
45,000
¥1.7967
80851.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSMT-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel, PNP
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
44 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
QS8F2
晶体管类型
1 P-Channel, PNP
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
85 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
优势价格,QS8F2TCR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥52.4094
10:¥51.9461
25:¥47.3357
100:¥42.7253
参考库存:1415
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 20V 0.3A 6PIN
1:¥3.0736
10:¥2.3391
100:¥1.2656
1,000:¥0.95259
3,000:¥0.82264
参考库存:12782
晶体管
MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
1:¥108.0393
10:¥98.197
25:¥90.8294
50:¥85.9026
参考库存:31354
晶体管
MOSFET UDFN6 S-MOS TRSTR Pd: 0.5W F: 1MHz
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥1.1639
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
参考库存:1199
晶体管
MOSFET 200V N-Channel QFET
1:¥18.8258
10:¥15.9782
100:¥12.8368
500:¥11.2209
1,000:¥9.2999
参考库存:5971
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