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晶体管
IRF100B201参考图片

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IRF100B201

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
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数量单价合计
1
¥19.5151
19.5151
10
¥16.5997
165.997
100
¥13.221
1322.1
500
¥11.6051
5802.55
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
192 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
170 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
441 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
278 S
下降时间
100 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
97 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
110 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
SP001561498
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRF100B201的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSVT65011MW6T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Matched NPN Tra
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:75000
SPA21N50C3
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 21A TO220FP-3 CoolMOS C3
1:¥29.1992
10:¥24.8148
100:¥21.5152
250:¥20.3626
500:¥18.2834
参考库存:3452
BUK9620-55A,118
Nexperia
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥7.3789
10:¥6.2489
100:¥4.8025
500:¥4.2375
800:¥3.3448
参考库存:24234
PUMH10,125
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin
1:¥2.5312
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:30996
BSP62,115
Nexperia
晶体管
达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
2,000:¥1.5368
参考库存:11168
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