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产品分类

晶体管
SIZ320DT-T1-GE3参考图片

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SIZ320DT-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
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库存:32,605(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥5.8647
58.647
100
¥4.4522
445.22
500
¥3.6725
1836.25
3,000
¥2.6668
8000.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAIR-3x3-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
30 A, 40 A
Rds On-漏源导通电阻
4.24 mOhms, 8.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 12 V, 16 V
Qg-栅极电荷
9.5 nC, 17.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
16.7 W, 31 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIZ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
45 S, 68 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns, 45 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 20 ns
典型接通延迟时间
8 ns, 12 ns
商品其它信息
优势价格,SIZ320DT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package
1:¥59.4719
10:¥53.7089
25:¥51.2568
100:¥44.4881
参考库存:5507
晶体管
MOSFET 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.
1:¥7.6049
10:¥6.0568
100:¥4.5991
500:¥3.7968
参考库存:9209
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
2,000:¥2.4634
参考库存:42521
晶体管
MOSFET
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5597
500:¥6.6896
1,000:¥5.2771
2,500:¥5.2771
参考库存:110468
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥6.3054
10:¥5.4353
100:¥4.1697
500:¥3.6838
1,000:¥2.9154
2,000:¥2.9154
参考库存:14715
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