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晶体管
SSM6H19NU,LF参考图片

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SSM6H19NU,LF

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET UDFN6 S-MOS TRSTR Pd: 0.5W F: 1MHz
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.0792
20.792
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.84524
845.24
3,000
¥0.72998
2189.94
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UDFN-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel, SBD
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
3.6 V
Qg-栅极电荷
1 nC
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
SSM6H19
晶体管类型
1 N-Channel, SBD
宽度
2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,SSM6H19NU,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 3.5Vgs 10Vds 20mA
111:¥59.0877
500:¥53.8671
1,000:¥46.8724
参考库存:33415
晶体管
MOSFET N-Ch 560V 4.5A TO220-3
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5936
500:¥6.7122
参考库存:33420
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 40V 34A 10mOhm Dual N-CH
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2659
1,500:¥5.6048
4,500:查看
参考库存:33425
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥1,147.8314
2:¥1,125.3218
5:¥1,087.7493
10:¥1,068.2342
参考库存:33430
晶体管
IGBT 模块 1200V 25A FL BRIDGE
1:¥729.3698
5:¥715.9906
10:¥683.7178
25:¥660.9822
参考库存:33435
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