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晶体管
VS-150MT060WDF-P参考图片

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VS-150MT060WDF-P

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
138 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
Pd-功率耗散
543 W
封装 / 箱体
MTP
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
105
子类别
IGBTs
商标名
FRED Pt
商品其它信息
优势价格,VS-150MT060WDF-P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V
3,000:¥2.9041
6,000:¥2.7685
9,000:¥2.6555
24,000:¥2.5764
参考库存:46461
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V 500MA PNP GEN-PURPOSE TRAN
3,000:¥0.30736
9,000:¥0.26894
24,000:¥0.24634
45,000:¥0.23052
99,000:¥0.20792
参考库存:46466
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 550V 6A 3-Pin(3+Tab)
5,000:¥2.3278
10,000:¥2.2487
25,000:¥2.1583
参考库存:46471
晶体管
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
240:¥25.4363
480:¥24.1255
720:¥21.6734
参考库存:46476
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
10,000:¥0.23052
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.17628
参考库存:46481
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