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晶体管
TSM260P02CX6 RFG参考图片

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TSM260P02CX6 RFG

  • Taiwan Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET -20V, -6.5A, Single P-Channel Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥3.1527
31.527
100
¥2.3617
236.17
500
¥1.7289
864.45
3,000
¥1.1865
3559.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
6.5 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
19.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.56 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
24.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
37.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
89.1 ns
典型接通延迟时间
10.4 ns
单位重量
15 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PSMN1R9-40PLQ
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel 40 V 1.7 mOhm MOSFET
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2889
500:¥13.3679
参考库存:7040
IRF3205ZSTRLPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
1:¥12.0684
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1868
800:¥5.9438
参考库存:7107
STD70N10F4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch, 100V-0.015ohms 60A
1:¥12.2153
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥7.119
2,500:¥4.9833
10,000:查看
参考库存:93299
IRFB3306PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.7631
1,000:¥6.4749
参考库存:13001
IPD036N04LGBTMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
1:¥9.6841
10:¥8.2942
100:¥6.3845
500:¥5.6387
2,500:¥3.955
10,000:查看
参考库存:50103
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