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晶体管

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F4-200R06KL4

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数量单价合计
10
¥1,437.7555
14377.555
30
¥1,417.6189
42528.567
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
225 A
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
F4200R06KL4BOSA1 SP000100433
商品其它信息
优势价格,F4-200R06KL4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.8422
500:¥6.8252
参考库存:12452
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥28.589
10:¥23.6622
100:¥19.5151
250:¥18.9049
3,000:¥18.9049
参考库存:30994
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:63006
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:17413
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥101.2028
10:¥93.0555
25:¥89.2135
100:¥78.535
参考库存:6560
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