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晶体管
PTFB213208FV-V2-R2参考图片

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PTFB213208FV-V2-R2

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:46,077(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,281.0019
320250.475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
17 dB
输出功率
320 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275G-6/2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB213208FV-V2-R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9495
500:¥6.1359
800:¥4.8477
参考库存:36860
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
1:¥7.0738
10:¥6.0907
100:¥4.6782
500:¥4.1358
2,500:¥2.8928
10,000:查看
参考库存:55957
晶体管
MOSFET Nch 30V Vds 0.3A 1.4Rds(on) SOT-323
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:33324
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 1A NPN/PNP
1:¥3.6838
10:¥3.0397
100:¥1.8532
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.2204
参考库存:12491
晶体管
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥8.2264
10:¥7.0625
100:¥5.424
500:¥4.7912
1,000:¥3.7855
2,500:¥3.7855
参考库存:279233
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